用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0.40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜,研究了生长温度等工艺参数的影响.结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外延薄膜中的C主要以替位式存在.C掺入量的变化可有效地调节薄膜的禁带宽度,而提高生长温度有助于改善Si1-x-yGexCy薄膜的的晶体质量.组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜包括由因衬底中Si原子扩散至表面与GeH4、C2H4反应而生成的Si1-x-yGexCy外延层和由Si1-x-yGexCy外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.
参考文献
[1] | J.C.Bean,Proc.IEEE,80,571(1992) |
[2] | F.Schaffler,Semicond.Sci.Technol.,12,1515(1997) |
[3] | M.L.Lee,E.A.Fitzgerald,M.T.Bulsara,M.T.Currie,A.Lochtefeld,J.Appl.Phys.,97,011101(2005) |
[4] | CUI Jifeng,YE Zhizhen,WU Guibin,ZHAO Binhui,Journal of Materials Science & Engineering,23,81(2005)(崔继锋,叶志镇,吴贵斌,赵炳辉,材料科学与工程学报,23,81(2005)) |
[5] | S.B.Samavedam,E.A.Fitzgerald,J.Appl.Phys.,81,3108(1997) |
[6] | M.T.Currie,S.B.Samavedam,T.A.Langdo,C.W.Leitz,E.A.Fitzgerald,Appl.Phys.Lett.,72,1718(1998) |
[7] | Sang-Hoon Kim,Young-Joo Song,Hyun-Chul Bae,Electrochemical and Solid-State Letters,8,G304-G306(2005) |
[8] | L.H.Wong,J.P.Liu,C.Ferraris,C.C.Wong,M.C.Jonatam,T.J.White,L.Chan,Appl.Phys.Lett.,88,041915(2006) |
[9] | H.J.Osten,D.Knoll,H.Rucker,Materials Science and Engineering,B87,262(2001) |
[10] | WANG Yadong,HUANG Jingyun,YE Zhizhen,ZHANG Guoqiang,QI Zhen,ZHAO Binghui,Vacuum Science and Technology (China),21,214(2001)(王亚东,黄靖云,叶志镇,章国强,亓震,赵炳辉,真空科学与技术,21,214(2001)) |
[11] | L.Vescan,T.Stoica,J.Lumin.,80,485(1999) |
[12] | D.Gall,J.D.Arcy-Gall,J.E.Greene,Phys.Rev.B,62,R7723(2000) |
[13] | J.L.Regolini,S.Bodnar,J.C.Oberlin,F.Ferrieu,M.Gauneau,B.Lambert,P.Bucaud,J.Vac.Sci.Technol.A,12,1015(1994) |
[14] | B.K.Yang,M.Krishnamurthy,W.H.Weber,J.Appl.Phys.,82,3287(1997) |
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