在磁头表面制备了1H,1H,2H,2H-四氢全氟辛烷基三氯硅烷(FOTS)自组装膜,采用X射线光电子能谱仪(XPS)、时间飞行二次离子质谱仪(TOF-SIMS)、接触角测量仪和原子力显微镜(AFM)对FOTS自组装膜进行表征,研究了自组装膜的生长机理.结果表明,FOTS自组装膜的生长经过了亚单层膜的低等覆盖、亚单层膜的中等覆盖、团聚和聚结四个阶段.其中第一层和第二层自组装膜的亚单层膜形态和生长方式不同,第一层的亚单层膜呈岛状,岛的生长是自身向外扩展;第二层的亚单层膜呈簇状,簇通过数量增加来实现生长.超薄完整的单层FOTS自组装膜(膜厚为0.8 nm、Ra为0.125 nm)能使磁头表面的接触角值增加,疏水性能提高.
参考文献
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