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在镀液成分、pH值、沉积电流密度和脉冲占空比等工艺参数不变的条件下,利用脉冲电沉积技术在镀液温度分别为30,50和80℃时制备了包含高密度纳米孪晶片层结构的纳米晶Ni薄膜.利用SEM,XRD和TEM研究了镀液温度对纳米孪晶Ni薄膜的沉积速率、择优取向、晶粒尺寸、孪晶片层特征尺寸(长度和厚度)以及生长规律的影响;利用HRTEM揭示了纳米孪晶Ni的孪晶界面微观结构特征,利用纳米压痕技术研究了温度对Ni薄膜纳米压痕硬度的影响.研究结果表明:脉冲电沉积纳米孪晶Ni薄膜的生长速率在20-30 nm/s之间,镀液温度为30和50℃时Ni薄膜沿(220)面择优生长,80℃时转变为沿(200)面择优生长;随着镀液温度的升高,Ni薄膜的平均晶粒尺寸由900 nm减小到300 nm,晶粒内部孪晶片层的厚度由60 nm降低到28 nm; 50℃时纳米孪晶Ni薄膜的纳米压痕硬度平均值最高,达3.75 GPa.

参考文献

[1] Christian J W,Mahajan S.Prog Mater Sci,1995; 39:1
[2] Lu L,Shen Y F,Chen X H,Qian L H,Lu K.Science,2004; 304:422
[3] Shen Y F,Lu L,Lu Q H,Jin Z H,Lu K.Scr Mater,2005;52:989
[4] Lu L,Chen X,Huang X,Lu K.Science,2009; 323:30
[5] Li X Y,Wei Y J,Lu L,Lu K,Gao H J.Nature,2010; 464:877
[6] Lu K,Lu L,Suresh S.Science,2009; 324:349
[7] Lu L,Lu K.Acta Metall Sin,2010; 46:1422(卢磊,卢柯.金属学报,2010; 46:1422)
[8] Zhang Y F,Cheng Y H,Han X D,Zhang Z.Chin Pat,201220267938.6,2011(张跃飞,成宇浩,韩晓东,张泽.中国专利,201220267938.6,2011)
[9] Cheng Y H,Zhang Y F,Mao S C,Han X D,Zhang Z.J Chin Electro Microsc Soc,2011; (Suppl):45(成宇浩,张跃飞,毛圣成,韩晓东,张泽.电子显微学报,2011;(增刊):45)
[10] Zhang X,Wang H,Chen X H,Lu L,Lu K,Hoagland R G,Misra A.Appl Phys Lett,2006; 88:173116
[11] Anderoglu O,Misra A,Wang H,Ronning F,Hundley M F,Zhang X.Appl Phys Lett,2008; 93:083108
[12] Yan F,Zhang H W,Tao N R,Lu K.J Mater Sci Technol,2011; 27:673
[13] Hong C S,Tao N R,Huang X,Lu K.Acta Mater,2010;58:3103
[14] Tao N R,Lu K.J Mater Sci Technol,2007; 23:771
[15] Tu Z M,Li N,Hn H L,Cao L X.Electrodeposited Nanocrystalline Material Technology.Beijing:National Defense Industry Press,2008:66(屠振密,李宁,胡会利,曹立新.电沉积纳米晶体材料技术.北京:国防工业出版社,2008:66)
[16] Chen T Y.Nickel Plating Fault Handling and Examples.Beijing:Chemical Industry Press,2010:4(陈天玉.镀镍故障处理及实例.北京:化学工业出版社,2010:4)
[17] Peng X,Yan J,Xu C.Metall Mater Trans,2008; 39A:119
[18] Motoyama M,Fukunaka Y,Sakka T,Ogata Y H.J Electrochem Soc,2006; 153:C502
[19] Lucadamo G,Medlin D L,Yang N Y C,Kelly J J,Talin A A.Philos Mag,2005; 85:2549
[20] El-Sherik A M,Erb U.J Mater Sci,1995; 30:5743
[21] Saitou M,Oshiro S,Asadul H S M.J Appl Electrochem,2008; 38:309
[22] Bicelli L P,Bozzini B,Mele C,D'Urzo L.Int J Electrochem Sci,2008; 3:356
[23] Fleischmann M,Thirsk H R.Electrochim Acta,1959; 1:146
[24] Boubatra M,Azizi A,Schmerber G,Dinia A.Ionics,2012;15:425
[25] Boubatra M,Azizi A,Schmerber G,Dinia A.J Mater Sci-Mater Electron,2011; 22:1804
[26] Swygenhoven H V,Derlet P M,Fr(Φ)seth A G.Nat Mater,2004; 3:399
[27] Idrissi H,Wang B,Colla M S,Raskin J P,Schryvers D,Pardoen T.Adv Mater,2011; 23:2119
[28] Zhu T,Gao H.Scr Mater,2012; 66:843
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