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通过直流电沉积技术制备具有高密度纳米孪晶结构的Ni,并对该材料中存在的五次孪晶结构进行了深入系统的电子显微分析.获得了纳米孪晶Ni中五次孪晶结构的HRTEM图像和SAED花样;研究了单个晶粒内部五次孪晶的结构特性、分布规律.结果表明,五次孪晶是由5个[111]晶体旋转组成,五次旋转孪晶产生的7.35°本征间隙至少由五次孪晶中的2个孪晶界分担;而且分担间隙的孪晶界呈现宽化现象,并且分解为新的孪晶,导致五次孪晶晶粒在整体形状上不具有五次对称性,呈现出一定的不规则形状.TEM截面形貌分析表明,电沉积纳米孪晶Ni呈现[110)面平行样品表面织构,晶粒为柱状晶分布,柱状生长方向为[110].通过综合结构表征,给出了五次孪晶在三维空间的结构模型.

参考文献

[1] Hermann C.ZKristallogr,1931; 79:186
[2] Segall R L.J Met,1957; 9:50
[3] Melmed A J,Hayward D O.J Chem Phys,1959; 31:545
[4] Zhu Y T,Liao X Z,Valiev R Z.Appl Phys Lett,2005; 86:103112
[5] Zhu Y T,Liao X Z,Wu X L.ProgMater Sci,2012; 57:1
[6] Cao A J,Wei Y G.Appl Phys Lett,2006; 89:041919
[7] Shao Y F,Wang S Q.Scr Mater,2010; 62:419
[8] Huang P,Dai G Q,Wang F,Xu K W,Li Y H.Appl Phys Lett,2009;95:203101
[9] Bringa E M,Farkas D,Caro A,Wang Y M,McNaney J,Smith R.ScrMater,2008; 59:1267
[10] Lucadamo G,Medlin D L,Yang N Y C,Kelly J J,Talin AA.Philos Mag,2005; 85:2549
[11] Sun Y G,Ren Y,Liu Y Z,Wen J G,Okasinski J S,Miller D J.Nat Commun,2012; 3:971
[12] Narayan J,Srivatsa A R,Ravi K V.Appl Phys Lett,1989; 54:1659
[13] An X H,Lin Q Y,Wu S D,Zhang Z F,Figueiredo R B,Gao N,Langdon T G.Scr Mater,2011; 64:249
[14] Xia Y N,Xiong Y J,Lim B,Skrabalak S E.Angew Chem Int Ed,2009; 48:60
[15] Marks L D.Rep ProgPhys,1994; 57:603
[16] Hofmeister H.CrystRes Technol,1998; 33:1
[17] Hofmeister H.Encyclopedia Nanosci Nanotechnol,2003; 3:431
[18] Li Q,Shao M W,Zhang S Y,Liu X M,Li G P,Jiang K,Qian Y T.J Crystal Growth,2002; 243:327
[19] Fu X,Jiang J,Zhang W Z,Yuan J.Appl Phys Lett,2008; 93:043101
[20] Chen H Y,Li J Q,Gao Y,Xie S S.Chin Electro Microsc Soc,2005; 24:1
[21] Cheng Y H,Zhang Y F,Mao S C,Han X D,Zhang Z.Acta Metall Sin,2012; 48:1342(成宇浩,张跃飞,毛圣成,韩晓东,张泽.金属学报,2012; 48:1342)
[22] Lu L,Chen X,Huang X,Lu K.Science,2009; 323:607
[23] Lu L,Shen Y F,Chen X H,Qian L H,Lu K.Science,2004; 304:422
[24] Hsiao H Y,Liu C M,Lin H W,Liu T C,Lu C L,Huang Y S,Chen C,Tu K N.Science,2012; 336:1007
[25] Qu S X,Wang G M,Zhou H F,Huang Z L.Comput Mater Sci,2011; 50:1567
[26] Chen M W,Ma E,Hemker K J,Sheng H W,Wang Y M,Cheng X M.Science,2003; 300:1275
[27] Zhou G D,Guo K X.Electron Diffraction of Crystals and Quasicrystals.Beijing:Beijing University Press,1999:222(周公度,郭可信.晶体和准晶体的衍射.北京:北京大学出版,1999:222)
[28] Ino S,Ogawa S.JPhys SocJpn,1967; 22:1365
[29] Li N,Wang J,Zhang X,Misra A.JOM,2011; 63(9):62
[30] Gryaznov V G,Kaprelov A M,Heydenreich J.Cryst Res Technol,1999; 34:1901
[31] Amblard J,Epelboin I,Froment M,Maurin G.J Appl Electrochem,1979; 9:233
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