原位合成MoSi2-SiC复合材料在500℃的氧化行为

金属学报, 2013, 49(11): 1303-1310. doi: 10.3724/SP.J.1037.2013.00527

原位合成MoSi2-SiC复合材料在500℃的氧化行为

1.北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京,100083

2.北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京,100083

3.北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京,100083

4.北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京,100083

基金项目: 国家自然科学基金项目50871012和国家重点基础研究发展计划项目2011CB605502资助 National Basic Research Program of China(2011CB605502) National Natural Science Foundation of China(50871012)

关键词：原位合成 , MoSi2-SiC复合材料 , 低温氧化行为 , pest现象

OXIDATION BEHAVIOR OF IN SITU SYNTHESIZED MoSi2-SiC COMPOSITES AT 500 ℃

Keywords： in situ synthesized , MoSi2-SiC composite , oxidation behavior , pest

研究了不同SiC体积分数原位合成MoSi2-SiC复合材料在500℃的氧化行为.经1000 h氧化的结果表明:复合材料的氧化抗力明显好于单一MoSi2,原位合成复合材料的氧化抗力好于传统的热压商用MoSi2粉末和SiC粉末混合物制备的复合材料(外加复合材料),复合材料氧化1000 h后未发生pest现象.其氧化动力学曲线分为:孕育期、快速氧化期和稳态氧化3个阶段.氧化膜的相组成为MoO3,非晶SiO2和β-SiC,材料的氧化过程主要是O2与MoSi2的作用,SiC未发生氧化.氧化5,10和20 h后样品表面形貌观察结果表明:材料的氧化优先在相界处发生,初生氧化物以无定形态存在；随着氧化的进行,逐渐形成MoO3晶须和非晶SiO2为主的团絮状氧化物；MoO3晶须优先在表面凸凹不平处形核并长大.

参考文献

[1]	Fitzer E.In..Benesovsky F ed.,Proc 2nd Plansee Semin,Vienna:Springer,1955:56
[2]	Chou T C,Nieh T G.Scr Metall,1992; 26:1637
[3]	McKamey C G,Tortorelli P F,DeVan J H,Carmichael C A.J Mater Res,1992; 10:2747
[4]	Westbrook J H,Wood D L.J Nucl Mater,1964; 2:208
[5]	Chen J X,Li C H,Fu Z,Tu X,Sundberg M,Pompe R.Mater Sci Eng,1999; A261:239
[6]	Sun Z Q,Zhang L Q,Yang W Y,Zhang Y,Fu X W.Chin Pat,ZL01141978.4,2005(孙祖庆,张来启,杨王玥,张跃,傅晓伟.中国专利,ZL01141978.4,2005)
[7]	Zhang L Q,Sun Z Q,Zhang Y,Yang W Y,Chen G N.Acta Metall Sin,2001; 37:325(张来启,孙祖庆,张跃,杨王玥,陈光南.金属学报,2001:37:325)
[8]	Fu X W,Yang W Y,Zhang L Q,Sun Z Q,Zhu J.Acta Metall Sin,2002; 38:731(傅晓伟,杨王玥,张来启,孙祖庆,朱静.金属学报,2002; 38:731)
[9]	Me H H,Translated by Xu K D,Wang Q.Molybdenum Alloy.Beijing:Metallurgical Industry Press,1984:162(莫尔古诺娃HH著,徐克玷,王勤译.钼合金.北京:冶金工业出版社,(984:162)
[10]	Lely J A.SiC Semi-Conductor at High Temperature.Shanghai:Shanghai Scientific and Technological Literature Publishing House,1962:138(列米JA.碳化硅高温半导体.上海:上海科学技术出版社,1962:138)
[11]	Chou T C,Nieh T G.Scr Metall,1992; 27:19
[12]	Meschter P J.Metall Trans,1992; 23A:1763
[13]	Hansson K,Halwrsson M,Tang J E,Sundberg M,Svensson J E.J Eur Ceram Soc,2004; 24:3559
[14]	Maruyama T,Yanagihara K.Mater Sci Eng,1997; A239-240:828
[15]	Kuchino J,Kurokawa K,Shibayama T,Takahashi H.Vacuum,2004; 73:623
[16]	Parthasarathy T A,Mendiratta M G,Dimiduck D M.Acta Mater,2002; 50:1857
[17]	Li W.Inorganic Whisker.Beijing:Chemical Industry Press,2005:87(李武.无机晶须.北京:化学工业出版社,2005:87)
[18]	Zhu R Z,He Y D,Qi H B.Corrosion and CorrosionResistant Materials at High Temperature.Shanghai:Shanghai Scientific and Technological Literature Publishing House,1995:112(朱日彰,何业东,齐慧滨.高温腐蚀及耐高温腐蚀材料.上海:上海科学技术出版社,1995:112)
[19]	Feng P Z,Qu X H,Du X L,Cui D W,Tao S W,Tian J J.Powder Metall Technol,2006; 24(1):64(冯培忠,曲选辉,杜学丽,崔大伟,陶斯武,田建军.粉末冶金技术,2006; 24(1):64)

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网