AlSb多晶薄膜材料的性能研究

无机材料学报, 2009, 24(3): 517-520. doi: 10.3724/SP.J.1077.2009.00517

AlSb多晶薄膜材料的性能研究

宋慧瑾 ^1, , 贺剑雄 ^2, , 武莉莉 ^3, , 郑家贵 ^4, , 冯良桓 ^5, , 雷智 ^6,

1.四川大学,材料科学与工程学院,成都,610064

2.四川大学,材料科学与工程学院,成都,610064

3.四川大学,材料科学与工程学院,成都,610064

4.四川大学,材料科学与工程学院,成都,610064

5.四川大学,材料科学与工程学院,成都,610064

6.四川大学,材料科学与工程学院,成都,610064

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2006AA05Z418)

关键词： AlSb , 退火 , 多晶薄膜 , 共蒸发

Study on AlSb Polycrystalline Thin Films Material

采用共蒸法制备了新型AlSb多晶薄膜. 通过XRF、XRD、Hall测试及电导率温度关系等研究了AlSb多晶薄膜的组分、结构及性能. 分析表明,刚沉积的AlSb薄膜为非晶相,在540℃以上退火转变为AlSb相,转变的程度取决于退火的温度及Al、Sb的原子配比,其中NAl ∶ NSb为47.2 ∶ 52.8,580℃退火后的薄膜多晶转变最为明显,结晶度较高;测试结果表明,退火后的AlSb薄膜为p型间接带隙半导体,载流子浓度为1019cm-1,吸收系数为104,而且在升降温阶段电导率发生不可逆变化. 这种薄膜用于TCO/CdS/AlSb结构的太阳电池器件中已经得到200mV左右的开路电压.

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