铜钼复合添加ZnO-TiO2微波介质陶瓷的低温烧结及相转变

无机材料学报, 2009, 24(4): 712-716. doi: 10.3724/SP.J.1077.2009.00712

铜钼复合添加ZnO-TiO2微波介质陶瓷的低温烧结及相转变

刘忠池 ^1, , 周东祥 ^2, , 龚树萍 ^3, , 胡云香 ^4,

1.华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074;中国地质大学,数理学院,武汉,430074

2.华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074

3.华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074

4.华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2001AA-ZB3201)

关键词： ZnO-TiO2 , 低温烧结 , 相转变 , 微波介电性能

Sintering and Phase Transition of 0.25CNO-0.75MoO3 Doped ZnO-TiO2 Microwave Dielectric Ceramics

研究了添加0.25CuO-0.75MoO3(摩尔比,简记为CM)对ZnO-TiO2(简记为ZT)陶瓷的低温烧结特性、相转变及微波介电性能的影响.CM添加的ZT陶瓷由传统的固相反应方法制备而得,烧结温度限定在900～1050℃范围内.样品的显微形貌、元素成分、物相构成及微波介电性能分别由FE-SEM、EDS、XRD及网络分析仪进行表征或测量.EDS及XRD分析显示,Cu2+和Mo6+均进入了ZT陶瓷的主晶相的晶格,并导致ZnTiO3分解温度的降低,同时,也降低了在Zn2TiO4和金红石之间形成固溶体(Zn2Ti3O8)的起始温度.实验结果表明,CM的添加可有效地促进ZT陶瓷的低温致密化烧结.添加4wt%CM且在975℃烧结4h后的ZT陶瓷的密度可达理论值的94%,其微波介电性能为品质因素Qf=12150GHz,介电常数εr=28.6,谐振频率温度系数τf=+17.8×10-6/℃.

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