用金属有机物分解法分别制备了SrBi2Ta2O2(SBT)薄膜和粉末样品.XRD和SEM结果显示SBT粉末经历氮氢混合气氛400℃退火处理后发生了还原反应,金属Bj和δ-Bi2O3析出,成针状结构聚集在表面,晶体结构没有被破坏.SBT薄膜在500%退火处理时,表面出现Bi的球形及针状结构聚集体,相对于薄膜结构,SBT粉末中的Bi元素在较低温度时更容易被还原.Bi的大量缺失严重影响薄膜的铁电性能,当退火时间为5.5min时,SBT薄膜剩余极化强度Pτ下降了约43%,但是在109极化反转后仍然保持了良好的抗疲劳特性;退火时间超过8.5min时,薄膜被击穿,铁电性能消失.
参考文献
[1] | Scott J F,Araujo C A.Science,1989,246(4936):1400-1405. |
[2] | Araujo C A,Cuchiaro J D,McMillan L D,et al.Nature,1995,374:627-629. |
[3] | Amorin H,Kholkin A L,Costa M E V.Mater.Res.Bull.,2008,43(6):1412-1419. |
[4] | Hai L V,Kanashima T,Okuyama M.Integr.Ferroelectr.,2008,96(1):27-39. |
[5] | Hase T,Noguchi T,Miyasaka Y.Integr.Ferroelectr.,1997,16(1):29-40. |
[6] | Han J P,Ma T P.Appl.Phys.Lett.,1997,71(9):1267-1269. |
[7] | Kwon O S,Hwang C S,Hong S K.Appl.Phys.Lett.,1999,75(4):558-560. |
[8] | Im J,Auciello O,Krausa A R.Appl.Phys.Lett.,1999,75(8):1162-1164. |
[9] | Shimakawa Y,Kubo Y.Appl.Phys.Lett.,1999,75(18):2839-2841. |
[10] | Wang D S,Yu T,Wu D,et al.Appl.Phys.Lett.,2001,79(14):2237-2239. |
[11] | Hartner W,Bosk P,Schindler G,et al.Appl.Phys.A,2003,77(3/4):571-579. |
[12] | Moriyoshi C,Sugiura A,Itoh K,et al.Ferroelectrics,2006,339(1):1887-1893. |
[13] | Ashikaga K,Takaya K,Kanehara T,et al.Jpn.J.Appl.Lett.,2007,46(2):695-697. |
[14] | Xiong K,Robertson J.Appl.Phys.Lett.,2004,85(13):2577-2579. |
[15] | Xiong K,Robertson J,Clark S J.J.Appl.Phys.,2007,102 (8):083710-1-13. |
[16] | Amanuma K,Hase T,Miyasaka Y.Appl.Phys.Lett.,1995,66(2):221-223. |
[17] | Desu S B,Vijay D P,Zhang X,et al.Appl.Phys.Lett.,1996,69(12):1719-1721. |
[18] | Yu T,Wang D S,Wu D,et al.Integr.Ferroelectr.,2000,31(1-4):333-339. |
[19] | Bu S D,Park B H,Kang B S,et al.Appl.Phys.Lett.,1999,75(8):1155-1157. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%