采用四元Ag-Cu-In-Ti焊料成功地连接了常压烧结SiC陶瓷.研究了钎焊温度和保温时间对碳化硅连接强度的影响,同时通过EPMA和TEM分析连接界面的微观结构,并且探讨了连接的原理.试验结果表明,在700～780℃试验温度范围内,碳化硅的连接强度存在峰值,最高四点弯曲强度达到了234MPa,但是连接强度随着保温时间的增加呈现单调下降趋势.接头微观结构由基体SiC、反应层和焊料三部分组成,连续致密的反应层紧密连接基体和焊料,反应层由带状层、TiC层和Ti5Si3层组成,带状层宽度约20nm,由Ag、In、Si和少量的Ti、Cu组成.元素线扫描结果显示焊料中的活性元素Ti含量在反应层内形成峰值,活性元素Ti与SiC发生反应生成新的反应层是连接的主要因素.
参考文献
| [1] | Liu H J,Feng J C,Qian Y Y.Scripter Mater.,2000,43(1):49-53. |
| [2] | Riccardi B,Nannetti C A,Woltersdoff J,et al.J.Mater.Sci.,2002,37(23):5029-5039. |
| [3] | Singh M.J.Mawr.Sci.lett.,1998,17(6):459-461. |
| [4] | Lee H L,Nam S W,Hahn B S,et al.J.Mater.Sci.,1998,33(20):5007-5014. |
| [5] | Wang J G,Jiang N,Jiang H Y.Int.J.Adhes.Adhes.,2006,26(7):532-536. |
| [6] | Lee H K,Lee J Y.J.Mater.Sci.,1996,31(15):4133-4140. |
| [7] | Boadi J K,Yano T,Iseki T.J.Mater.Sci.,1987,22(7):2431-2434. |
| [8] | Blugan G,Kuebler J,Bissig V,et al.Ceram.Int.,2007,33(6):1033-1039. |
| [9] | 刘岩,黄政仁,刘学建,等(LIU Yan,et al).无机材料学报(Journal of Inorganic Materials),2009,24 (2):297-300. |
| [10] | GB/T6569-2006,精细陶瓷弯曲强度试验方法. |
| [11] | 李建林,江东亮,谭寿洪(LI Jian-lin,et al).无机材料学报(Journal of Inorganic Materials),2000,15(2):336-340. |
| [12] | Akselsen O M.J.Mater.Sci.,1992,27(8):1989-2000. |
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