退火对提拉法生长Lu2Si2O7:Ce晶体闪烁性能的影响

无机材料学报, 2009, 24(5): 1054-1058. doi: 10.3724/SP.J.1077.2009.01054

退火对提拉法生长Lu2Si2O7:Ce晶体闪烁性能的影响

冯鹤 ^1, , 丁栋舟 ^2, , 李焕英 ^3, , 陆晟 ^4, , 潘尚可 ^5, , 陈晓峰 ^6, , 张卫东 ^7, , 任国浩 ^8,

1.中国科学院,上海硅酸盐研究所,中试基地,上海,201800

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8.中国科学院,上海硅酸盐研究所,中试基地,上海,201800

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2007AA03Z444) 中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(SCX200701;SCX200708)

关键词： LPS:Ce晶体 , 退火制度 , 发光效率 , 吸收谱 , 发射光谱

Effect of Annealing Treatments on Scintillation Properties of Lu2Si2O7:Ce Grown by Czochralski Method

Lu2Si2O7:Ce (LPS:Ce)表现出较高的光输出,平均值约26000photons/MeV (简写为ph/MeV),但通过提拉法获得的晶体发光效率很低. 实验对LPS:Ce晶体进行了不同气氛下的退火,研究退火条件对LPS:Ce的发光效率等闪烁性能的影响. 发现在Ar气氛下退火对LPS:Ce发光效率的提高没有作用,在空气气氛下退火后可显著提高LPS:Ce的发光效率. 通过不同退火工艺的比较,确定了提高LPS:Ce发光效率的最佳退火制度:空气气氛下,退火温度1400℃,退火时间根据样品的大小决定,样品越大,需要的退火时间越长. 同时讨论了退火过程中,LPS:Ce吸收谱和UV-ray激发发射谱的变化趋势.

参考文献

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