对新型中红外非线性光学材料CdGeAs2的多晶合成和单晶生长进行了研究.以高纯(99.9999%)As、Ge、Cd为原料,按照CdGeAs2化学计量比并适当富Cd、As配料,采用机械振荡与熔体温度振荡相结合的方法合成出CdGeAs2多晶材料,使用改进的坩埚下降法生长出φ15mm×45mm、外观完整无开裂的CdGeAs2单晶体.XRD全谱拟合精修、红外傅里叶分光光度计测试分析表明:合成的CdGeAs2晶体具有单相四方黄铜矿结构,晶格常数为a=b=0.5946nm,c=1.1217nm;生长出的CdGeAs2单晶体结构完整,结晶性好,晶体的易解理面为(101)面,红外透明范围589～4250cm-1,拟合计算出CdGeAs2晶体的禁带宽度为0.67eV.
参考文献
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