CVI B-C基体改性2D C/SiC在低温湿氧中的自愈合行为

无机材料学报, 2010, 25(11): 1199-1203. doi: 10.3724/SP.J.1077.2010.01199

CVI B-C基体改性2D C/SiC在低温湿氧中的自愈合行为

李思维 ^1, , 张立同 ^2, , 刘永胜 ^3, , 成来飞 ^4, , 冯祖德 ^5, , 栾新刚 ^6, , 张伟华 ^7, , 杨文彬 ^8,

1.西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安710072

2.西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安710072

3.西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安710072

4.西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安710072

5.厦门大学,材料学院,特种先进材料福建省重点实验室,厦门361005

6.西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安710072

7.西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安710072

8.西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安710072

基金项目: 国家自然科学基金(90405015;50672076;50425208)

关键词： C/SiC复含材料 , 基体改性 , CVI B-C涂层 , 自愈合 , SEM , TEM

Self-healing Behavior of 2D C/SiC Modified by Partial Boron Carbide Matrix after Annealing at Low Temperature in Wet Oxygen

针对C/SiC低温氧化易失效的不足,研究了CVI B-C基体改性2D C/SiC在700℃湿氧中100MPa下加载至60h的氧化行为,利用SEM和TEM观察了改性材料不同服役时间的微结构特征,揭示了演变规律.研究表明,CVI B-C基体改性使C/SiC低温抗氧化能力显著提升.基体裂纹及其在应力加载下的开裂均为氧化气体提供进入通道,而后可被B-C氧化产物B2O3封填,抑制内部C消耗.CVI B-C与其氧化产物一同参与缺陷愈合.在60h内,B-C改性层愈合能力尚未完全发挥,可服役更长时间.

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