在TFT-LCD阵列的四次掩模技术中,复合层刻蚀是非常难控制的一道工序,最突出的问题是在复合层刻蚀后信号线的两边有金属残留,金属残留会对之后的绝缘层产生影响,导致断层等不良.调整复合层刻蚀工艺是目前解决金属残留问题的通用方法,但是都没有根本地解决这个问题.文章通过研究信号线刻蚀时间对复合层刻蚀后金属残留的影响,认为通过调整信号线的刻蚀时间能够根本解决复合层刻蚀后金属残留的问题,并且不会使金属线线宽超出控制范围.
参考文献
| [1] | 邓朝勇,林承武.一种TFT LCD阵列基板结构及其制造方法:中国专利,ZL200610080640[P].1997-08-09. |
| [2] | 刘翔,王章涛,崔祥彦,等.薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究[J].液晶与显示,2008,23(2):183-187. |
| [3] | 董杰,金相起,朴范求,等.a-Si TFT LCD过孔尺寸的缩减[J].液晶与显示,2008,23(6):688-691. |
| [4] | 刘翔,陈旭,谢振宇,等.使用低电阻金属铝制造薄膜晶体管阵列信号电极[J].液晶与显示,2009,24(4):533-536. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%