对低速沉积的栅极绝缘层和低速沉积的有源层的薄膜沉积条件进行了优化,设定4个实验条件,考察了不同条件下膜层的均匀性,TFT产品的开路电流(I.n)的整体分布规律以及均匀性,Ion的提升比例以及产品的阈值电压,确定条件二为最优条件.对比优化前后产品的栅极偏应力下TFT的转移曲线和高频信号下电容-电压曲线,进一步分析了产品的电学稳定性.研究发现I.n提升了42％,开关比(I.n/I..)提升了约70％,优化后的TFT的稳定性优于优化之前,达到了改善TFT特性的目的.
参考文献
| [1] | 谢振宇,龙春平,邓朝勇,等.高速沉积氮化硅薄膜对其化学键及其性能的影响[J].液晶与显示,2007,22(1):26-31. |
| [2] | 王守坤,孙亮,郝昭慧,等.基板支撑梢对TFT栅界面SiM和a-Si成膜特性的影响[J].液晶与显示,2012,27(5):613-617. |
| [3] | 朴勇,梁宏军,高鹏,等.工艺参数对碳氮化硅薄膜化学结构及光学性能的影响[J].应用光学,2006,27(4):274-281. |
| [4] | 张金中,张文余,谢振宇,等.栅极绝缘层工艺优化对氢化非晶硅TFT特性的改善[J].真空科学与技术,2012,32(11):991-995. |
| [5] | 谢振宇,龙春平,邓朝勇,等.非晶硅TFT栅界面层氮化硅薄膜性能的研究[J].真空科学与技术学报,2007,27(4):341-345. |
| [6] | 曲连杰,陈旭,郭建,等.氮化硅在触摸屏中的应用分析[J].液晶与显示,2012,27 (4):466-471. |
| [7] | 刘金娥,廖燕萍,荆海,等.a-Si∶ H-TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计[J].液晶与显示,2006,21(5):491-495. |
| [8] | 王长安,熊智斌,张少强,等.a-SiNx∶H薄膜对a-Si∶H TFT阈值电压的影响[J].光电子技术,1997,17 (1):45-49. |
| [9] | Suzuki Tohru,Hirose Masataka,Osaka Yukio.Influence of gap states on basic characteristics of a-Si∶ H Thin Film Transistors[J].Jap.J.Appl.Phys.,1982,21(5):L315-L317. |
| [10] | 梁鹿亭.半导体器件表面钝化技术[M].北京:科学出版社,1979:338-361. |
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