实现高PPI(单位面积像素个数),需要更细的线宽和更窄的间距,这往往受到光刻设备解像力的限制,本文对基于不改造镜像投影曝光设备而提高光刻解像力进行研究.用半导体工艺模拟以及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,相位移掩膜和传统掩膜下2.5 μm等间隔线的光强分布.根据设备参数模拟分析离焦量为15、30 μm时通过掩膜得到的光刻间距情况,最后,实际比较测量了相同条件下各自曝光剂量范围和切面坡度角.实验结果表明:相位移掩膜能使镜像投影曝光机分辨力以下间距(线宽)的工艺容限增大1倍,并使相应曝光量下间距(线宽)的分布更集中,从而增加细线化的稳定性.使用相位移掩膜能提高镜像投影曝光机的解像力.
参考文献
| [1] | Levenson M D;Viswanatha N S;Simpson R A.Improving resolution in photolithography with a phase-shifting mask[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1982ED-29(12):1828-1836. |
| [2] | 童志义.国外光刻制版设备发展动态(续)[J].半导体技术,19934:33-34. |
| [3] | 罗先刚;姚汉民;周冲喜.可提高光刻分辨率的新技术[J].光学学报,200029(09):834-837. |
| [4] | 冯伯儒;陈宝钦.边缘相移掩模技术[J].光电工程,199724:12-17. |
| [5] | 冯伯儒;陈宝钦.无铬相移掩模技术[J].光学学报,199525(04):328-332. |
| [6] | 周崇喜;冯伯儒;侯德胜.用于0.35 μm接触孔图形相移掩膜研究[J].光学学报,200020(04):543-547. |
| [7] | 阮刚;庞海舟;冒慧敏.集成电路工艺模拟软件SSUPREM4的校验[J].电子学报,199927(08):1-6. |
| [8] | 周伟峰;薛建设;金基用.不同狭缝与遮挡条设计对TFT特性的影响与规律[J].液晶与显示,201126(02):165-169. |
| [9] | 田铁印;王红;吴国栋.杂光对三线阵相机光学系统成像的影响[J].液晶与显示,201227(06):847-851. |
| [10] | 孙辉.相位相关技术实现离焦模糊图像运动估计[J].液晶与显示,201227(02):223-228. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%