对于薄膜晶体管液晶显示器来说,TFT的特性对产品的品质有很大的影响,而其亮态漏电流Ioff的影响尤为重要.为改善器件性能,需要深入分析TFT亮态漏电流的影响因素.本文在实验基础上提出一种测试方法,首先使用BM PR(Black Matrix Photo Resist)对TFT沟道的不同位置进行遮挡;再对遮挡样品进行TFT特性测试.进而能模拟出实际工作中的TFT亮态漏电流,可以更加简便有效地优化TFT下方的栅极金属线宽,同时降低亮态漏电流.最后制作了54.6 cm(21.5 in)改善样品,通过新测试方法分析,将栅极金属线加宽约1.5 μm,改善后样品的亮态漏电流从14.08 pA降至约9.50 pA.所以,使用新的测试方法无需将样品制作到模组后再进行品质评价,简单有效并降低了产品制造成本.
参考文献
| [1] | 谢振宇;龙春平;邓朝勇;胡文成.高速沉积氮化硅薄膜对其化学键及性能的影响[J].液晶与显示,2007(1):26-31. |
| [2] | 王守坤;孙亮;郝昭慧;朱夏明;袁剑峰;林承武.基板支撑梢对TFT栅界面SiNx和a-Si成膜特性的影响[J].液晶与显示,2012(5):613-617. |
| [3] | 朴勇;梁宏军;高鹏;丁万昱;陆文琪;马腾才;徐军.沉积参数对碳氮化硅薄膜化学结构及光学性能的影响[J].应用光学,2006(4):274-280. |
| [4] | 张金中;张文余;谢振宇;陈旭;闵泰烨.栅极绝缘层工艺优化对氢化非晶硅TFT特性的改善[J].真空科学与技术学报,2012(11):991-995. |
| [5] | 王长安;周雪梅;张少强;赵伯芳;徐重阳.一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管[J].半导体光电,2000(2):100-103. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%