过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响研究

液晶与显示 , 2016, 31(1): 58-61. doi: 10.3788/YJYXS20163101.0058

过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响研究

霍晓迪 ^1, , 陈兵 ^2, , 李知勋 ^3, , 李淳东 ^4, , 刘华锋 ^5,

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关键词：干法刻蚀 , 侧面接触方式 , 过孔 , 液晶面板 , 低温多晶硅技术

Influence of different dry etching process of contact hole on TFT-LCD performance

Keywords： dry etch , Just Contact Method , contact hole , TFT-LCD , low-temperature polysilicon technology

为了改善过孔的干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时解决ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,探究了过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响,从中找出最佳的过孔干法刻蚀工艺.利用京东方产线设备制备了两种不同的LTPS阵列样品,样品一的过孔工艺采用传统的底部接触方式,样品二采用新的侧面接触方式,样品一和样品二其余的工艺过程一致.实验结果表明:多点的U-I曲线由发散变为集聚,电子迁移率有所提高;SEM数据表明采用侧面接触方式能够完全将P-Si刻穿.采用侧面接触方式能够明显的解决干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时避免了ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,电学性能有所改善,同时减少了工艺时间,提高了产能.

参考文献

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