随着高分辨率产品导入,TFT-LCD阵列段各项参数范围越来越小,工艺要求更为严格,为了更好地管控湿法刻蚀各项参数,本文以湿法刻蚀FI CD(Final Inspection Critical Dimension)均一性的影响因素及如何提高FI CD均一性为目的进行研究.首先,通过对湿法刻蚀设备参数(主要包括刻蚀液温度、流量、压力、浓度、Nozzle Sliding、Oscillation Speed、刻蚀时间等)进行试验,验证各项参数对FI CD均一性的影响.其次,对沉积工序、曝光工序以及产品设计等进行试验,获悉影响因素并进行改善.通过对湿法刻蚀设备自身参数的调整,如减少设备温度、流量、压力波动,使参数保持相对稳定状态,可有效改善湿法刻蚀FI CD均一性,FI CD的均一性可从1.0降低至0.5.通过对湿法刻蚀设备参数进行试验并做相应调整,湿法刻蚀FI CD均一性改善效果显著.
参考文献
| [1] | 张定涛;李文彬;姚立红;郑云友;李伟;袁明.大尺寸TFT-LCD ECCP刻蚀工艺低耗整合[J].液晶与显示,2014(1):7-14. |
| [2] | 曲连杰;郭建;史大为;陈旭;闵泰烨;杨莉.高分辨率显示用小孔设计技术[J].液晶与显示,2015(2):246-250. |
| [3] | 王伟;向东;杨为;夏焕雄;张瀚.湿法刻蚀腔室结构数值优化[J].人工晶体学报,2014(5):1110-1114. |
| [4] | 毕昕 .面向TFT-LCD制程的Mura缺陷机器视觉检测方法研究[D].上海交通大学,2009. |
| [5] | 翟莲娜;周化岚;李小慧;顾哲明;陈亮.氧化铟锡透明导电电极的刻蚀研究[J].腐蚀科学与防护技术,2014(1):41-44. |
| [6] | 荀本鹏 .大尺寸面板液晶显示屏阵列工艺中的金属钼刻蚀研究[D].电子科技大学,2007. |
| [7] | 于斌斌;袁军堂;汪振华;薛志松;黄云林.多层等离子体蚀刻技术的研究[J].真空科学与技术学报,2013(3):262-266. |
| [8] | 孙敏;张金凤;郑佳晶.遗传算法在湿法刻蚀设备温度PID控制中的应用[J].电子工业专用设备,2014(1):31-34. |
| [9] | 李玉胜 .湿法刻蚀与清洗中晶圆缺陷问题的研究[D].天津大学,2013. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%