LTPS TFT层间绝缘层过孔刻蚀的工艺优化

液晶与显示 , 2016, 31(4): 363-369. doi: 10.3788/YJYXS20163104.0363

LTPS TFT层间绝缘层过孔刻蚀的工艺优化

陈丽雯 ^1, , 叶芸 ^2, , 郭太良 ^3, , 彭涛 ^4, , 周秀峰 ^5, , 文亮 ^6,

1.福州大学物理与信息工程学院,福建福州,350001

2.福州大学物理与信息工程学院,福建福州,350001

3.福州大学物理与信息工程学院,福建福州,350001

4.厦门天马微电子有限公司,福建厦门,361101

5.厦门天马微电子有限公司,福建厦门,361101

6.厦门天马微电子有限公司,福建厦门,361101

基金项目: 福建省自然科学基金(No.2014J01236)Foundation by National High Technology Research and Development Program of China(2013AA030601) Important National Science & Technology Specific Projects of Fujian Province,China(2014HZ0003-1) 福建省科技重大专项(2014HZ0003-1) Natural Science Foundation of Fujian Province,China(2014J01236) 国家863重大专项(2013AA030601)

关键词： LTPS TFT LCD , 干法刻蚀 , 湿法刻蚀 , 层间绝缘层过孔 , 接触电阻 , 器件性能

Optimization of via etching process of LTPS TFT interlayer dielectric

Keywords： LTPS TFT LCD , dry etching , wet etching , via etching of interlayer dielectric , contact resistance , device performance

为了适应LTPS TFT LCD显示屏超高分辨率极细布线的趋势,降低LTPS TFT层间绝缘层过孔刻蚀带来的良率损失,提高产品品质,本文研究了LTPS TFT层间绝缘层过孔刻蚀的工艺优化.实验以干法刻蚀为主刻蚀,湿法刻蚀为辅刻蚀的方式,既结合干法刻蚀对侧壁剖面角及刻蚀线宽的精确控制能力,又利用了湿法刻蚀高刻蚀选择比的优良特性,改善了层间绝缘层刻蚀形貌,减少干法刻蚀对器件有源层的损伤,避免有源层被氧化,防止刻蚀副产物污染开孔表面.实验结果表明,干法辅助湿法刻蚀能基本解决刻蚀过程中过刻、残留的问题,使得层间绝缘层过孔不良良率损失减少73％以上,且TFT源漏电极接触电阻减小约90％,器件开态电流提升约15％.干法辅助湿法刻蚀是一种优化刻蚀工艺,提升产品性能的新方法.

参考文献

[1]	白金超;王玉堂;郭总杰;丁向前;袁剑峰;邵喜斌.TFT-LCD过孔接触电阻研究[J].液晶与显示,2015(3):432-436.
[2]	张定涛;李文彬;姚立红;郑云友;李伟;袁明.大尺寸TFT-LCD ECCP刻蚀工艺低耗整合[J].液晶与显示,2014(1):7-14.
[3]	Ng, R.M.Y.;Tao Wang;Feng Liu;Xuan Zuo;Jin He;Mansun Chan.Vertically Stacked Silicon Nanowire Transistors Fabricated by Inductive Plasma Etching and Stress-Limited Oxidation[J].IEEE Electron Device Letters,20095(5):520-522.
[4]	Andreas Martin.Review On The Reliability Characterization Of Plasma-induced Damage[J].Journal of Vacuum Science & Technology, B. Microelectronics and Nanometer Structures: Processing, Measurement and Phenomena,20091(1):426-434.

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