GaAs衬底上立方GaN的低温生长

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基金项目: 中国科学院资助项目国家重点基础研究发展计划(973计划)

Low Temperature Growth of Cubic GaN on GaAs Substrate

研究了以 (001) GaAs为衬底的用ECR-PAMOCVD法生长的立方GaN薄膜的主要性质, 阐述了实验过程与生长用设备. 在生长过程中, 衬底温度约为600℃, 反应器内压力约0.4 Pa.

[1]	中村修二 .[J].应用物理,1996,65(07):676.
[2]	Saeki Y;Akitsu T;Kato T.Proc. of Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes[C].Japan,1996:390.
[3]	Sato M. .PLASMA-ASSISTED LOW-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF GAN ON GAAS SUBSTRATES[J].Journal of Applied Physics,1995(3):2123-2125.
[4]	徐茵.用于半导体加工的腔耦合-磁多极型ECR源的研究[J].核聚变与等离子体物理,1996(02):50.
[5]	Kuwano N;Nagatomo Y;Kobayashi K et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics Part 1,1994,33(1A):18.

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