用电阻率测量、金相观察以及红外光谱等方法分别研究了氢区熔硅单晶在轻水反应堆和重水反应堆进行中子辐照后的退火特性.电阻率退火曲线表明,两种中子辐照样品都存在氢致施主.随着退火温度由低到高,轻水堆辐照样品存在一个导电类型由p型到n型的转型过程,而且在这种转型过程中,有一个明显的"周边滞后"现象.在重水堆辐照样品中,热处理缺陷表现为氢致Φ型缺陷 (大麻坑),而在轻水堆辐照样品中,热处理缺陷表现为尺寸小得多的氢沉淀.红外光谱测量结果表明,重水堆中子辐照的样品经短时退火后观察不到氧沉淀,而在轻水堆辐照样品中存在吸收峰在1230 cm-1附近的氧沉淀.
参考文献
[1] | 佘思明.半导体硅材料[M ].长沙:中南工业大学出版社,1992:268. |
[2] | 曹建中.半导体材料的辐射效应[M ].北京:科学出版社,1993:54. |
[3] | 孟祥提;张秉中;徐小琳 .[J].稀有金属,1984,8(01):49. |
[4] | 王正元,林兰英.氢气和氩气中区熔生长的中子嬗变掺杂硅退火行为的研究[J].半导体学报,1982(04):282. |
[5] | Li H X;Chen Y S;Liu G R;Duan S Z .[J].Rare Metals,1996,15(04):289. |
[6] | 崔树范;麦振洪;钱临照 .[J].中国科学A辑,1983,13(11):1033. |
[7] | Meng Xiangti .[J].Physica Status Solidi A,1987,101:619. |
[8] | 李作骏.多相催化反应动力学基础[M ].北京:北京大学出版社,1990:158. |
[9] | 陈燕生;刘桂荣;李怀祥 .[J].北京科技大学学报,1996,18(01):50. |
[10] | Borghesi A;Piaggi A;Sassella A;Stella A and Pivac B .[J].Physical Review B,1992,46:4123. |
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