二次电子成分衬度成像方法在异质结半导体材料和器件的微结构研究中的应用

稀有金属, 1998, 22(6): 401-405. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.1998.06.001

二次电子成分衬度成像方法在异质结半导体材料和器件的微结构研究中的应用

刘安生 ^1, , 邵贝羚 ^2, , 安生 ^3, , 王敬 ^4, , 刘峥 ^5, , 徐军 ^6, , 王瑞忠 ^7, , 钱佩信 ^8,

1.北京有色金属研究总院,北京,100088

2.北京有色金属研究总院,北京,100088

3.北京有色金属研究总院,北京,100088

4.北京有色金属研究总院,北京,100088

5.北京有色金属研究总院,北京,100088

6.北京大学电子显微镜实验室

7.清华大学微电子学研究所

8.清华大学微电子学研究所

基金项目: 中国科学院资助项目

关键词：二次电子成分衬度像 , 异质结半导体材料和器件 , 电子显微术 , 微结构

Applications of Secondary Electron Composition Contrast Imaging Method in Microstructure Studies on Heterojunction Semiconductor Devices and Materials

阐述了高分辨二次电子成分衬度像的成像原理、成像条件和实验方法, 介绍了一种新的试样制备方法, 讨论了各种制样方法的特点. 以多层P+-Si1-xGex/p-Si异质结内光发射红外探测器为例, 介绍了二次电子成分衬度像观察技术在异质结半导体材料和器件微结构研究中的应用. 将这种技术与通常的透射电子衍射衬度方法进行了比较, 讨论了它在异质结半导体材料和器件中的应用前景.

参考文献

[1]	Seiler H .[J].Journal of Applied Physics,1983,54(11):R1.
[2]	Joy D C .[J].Ultramicroscopy,1991,37:216.
[3]	徐军.高分辨二次电子像中的成分衬度[J].电子显微学报,1997(01):1.

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