SiC的光谱特性研究

稀有金属, 1999, (1): 35-41. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.1999.01.008

SiC的光谱特性研究

朱建军 ^1, , 宠海 ^2, , 刘素英 ^3, , 梁骏吾 ^4,

1.中国科学院半导体研究所,北京,100083

2.中国科学院半导体研究所,北京,100083

3.中国科学院半导体研究所,北京,100083

4.中国科学院半导体研究所,北京,100083

基金项目: 国家自然科学基金

关键词： SiC , 不等价晶位 , 光致发光谱 , 4A(4D)复合体

Study on Photoluminescence Spectra of SiC

综合分析了3C-SiC、4H-SiC和6H-SiC的光致发光谱,总结了它们的光谱特性,特别分析了SiC结构中的不等价晶位对SiC的光致光谱的影响.

参考文献

[1]	Casady J B;Johnson R W .[J].Solid-State Electronics,1996,39:1409.
[2]	Liang Junwu;Zhu Jianjun .[J].Chinese J electron,1998,7(01):28.
[3]	Ikedam;matsunami H;Tanaka T .[J].Physical Review B,1980,22(06):2842.
[4]	Yang C Y.Rahmanmm.ed,Amorphous and Crystalline Silicon Carbide Ⅳ Springer-Verleg[M].Berlin,1992:129.
[5]	Choyke W J;Patrick L .[J].Physical Review,1962,127(06):1868.
[6]	Ikedam,matsunami H .[J].Physica Status Solidi A,1980,58:657.
[7]	Pensl G;Choyde W J .[J].Physical Review B,1993,185:264.
[8]	Yang C Y;Rahmanmm.ed.Amorphous and Crystalline Silicon Carbide Ⅳ[M].New York,Berlin,Heidelberg:Springer-Verlag,1992:105.
[9]	Choyke W J;Hamilton P R;Patrick L .[J].Physical Review A,1964,133(04):1163.

上一张下一张

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%