通过优化GaAs表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、GaAs表面预处理工艺、生长条件及优选GaAs衬底方向等措施,在水平与常压MOVPE装置中,用二乙基锌(DEZn)、二甲基镉(DMCd)、二异丙基碲(DiPTe) 和元素汞,采用互扩散多层工艺(IMP),在GaAs衬底上生长出了MCT/CdTe/GaAs,比较了采用优化工艺前后薄膜的电子显微镜形貌相,表明采用优化工艺后薄膜的表面形貌有了明显改进.
参考文献
| [1] | Specht L T;Hoke W E et al.[J].Applied Physics Letters,1986,48(06):417. |
| [2] | Thompson J;Mackett P;Smith L M .[J].Journal of Crystal Growth,1988,86:233. |
| [3] | 宋炳文;刘朝旺;王跃 等.[J].红外与激光工程,1997,26(04):45. |
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