GaP:NLPE片的纵向载流子浓度分布

1.北京师范大学分析测试中心,北京,100875

2.中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京,100083

3.北京师范大学分析测试中心,北京,100875

4.北京师范大学分析测试中心,北京,100875

5.北京师范大学物理系,北京,100875

Carrier Concentration Profiles of GaP:N LPE Wafers

阐述了GaP:NLPE片纵向载流子浓度分布的测量方法,探讨了各层载流子浓度和载流子浓度分布对发光效率的影响.

[1]	Masami Iwamoto et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,1980,19(11):2157.
[2]	井上健太郎 .[P].公开特许公报(A)昭59-80981

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