综述世界GaAs材料器件的产销情况、市场前景及GaAs材料的发展趋势. 预测2000年GaAs IC用于通讯将占GaAs IC市场的71%, 并以年均增长率15%的速度发展. 发光器件1999年增长12%, 其中激光器件增幅最大, 达16%. GaAs材料电子器件和光电器件的比例约为2∶3. 对大直径 (Φ76 mm以上)、低位错、低热应力、高质量的GaAs单晶有较大的需求量. VB、 VGF和VCZ是满足这些要求的最佳GaAs单晶生长方法.
参考文献
| [1] | 白须崇一.[J].金属时评,1999(1722):21. |
| [2] | 河崎亮久.[J].电子材料(日本),1995(07):28. |
| [3] | 公江清彦.[J].工业レアメタル,1995(110):40. |
| [4] | [J].金属时评,1996(1628):203. |
| [5] | レアメタル.[J].ニユ-ス,1999(1945):4. |
| [6] | 石黑三郎.[J].工业レアメタル,1996(111):35. |
| [7] | レアメタル.[J].ニユ-ス,1999(1951):1. |
| [8] | 石井郁夫.[J].工业レアメタル,1998(114):20. |
| [9] | レアメタル.[J].ニユ-ス,1999(1943):4. |
| [10] | 铃木康生.[J].工业レアメタル,1998(114):24. |
| [11] | 田崎登.[J].工业レアメタル,1996(112):21. |
| [12] | レアメタル.[J].ニユ-ス,1996(112):21. |
| [13] | Integrated Circuit Engineering[Z].,1995. |
| [14] | 石黑三郎.[J].金属时评,1995(1579):31. |
| [15] | 任学民.[J].电子工业器材,1996(11):33. |
| [16] | 鹫野澄雄.[J].工业レアメタル,1995(111):30. |
| [17] | 石黑三郎.[J].工业レアメタル,1998(114):28. |
| [18] | [N].文汇报,1999-01-11. |
| [19] | [J].Ⅲ-Vs Review,1997,10(02) |
| [20] | [J].Ⅲ-Vs Review,1996,9(02):41. |
| [21] | レアメタル.[J].ニユ-ス,1999(1943):5. |
| [22] | 石黑三郎;田边诚.[J].金属时评,1998(1707):332. |
| [23] | [J].Ⅲ-Vs Review,1998,11(02):6. |
| [24] | レアメタル.[J].ニユ-ス,1998(1888):1. |
| [25] | 横川正道.[J].电子材料(日本),1993(01):32. |
| [26] | [J].Ⅲ-Vs Review,1995,8(06):14. |
| [27] | 石黑三郎.[J].金属时评,1998(1687):45. |
| [28] | Kawase T;Wakamiya T et al.Presented at semi-Insula-ting Ⅲ-Ⅴ materials[Z].Ix-tapa,1992. |
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