Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态

稀有金属, 2000, 24(5): 378-382. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.2000.05.015

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态

郑安生 ^1, , 钱嘉裕 ^2, , 韩庆斌 ^3, , 邓志杰 ^4,

1.北京有色金属研究总院,北京,100088

2.北京有色金属研究总院,北京,100088

3.北京有色金属研究总院,北京,100088

4.北京有色金属研究总院,北京,100088

关键词： Ⅲ-Ⅴ族半导体 , 单晶生长 , 位错

State of Art Ⅲ-Ⅴs Semiconductor Crystal Materials

介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶生长工艺包括 LEC、VCZ、VGF/VB、HB 的发展现状;欲生长大直径、高质量单晶,仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究.目前,全世界Ⅲ-Ⅴ族半导体单晶产量约 80t,产值约5亿美元.

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