分析了氟化镁单晶体与多晶体成膜过程的行为，得出了二者不同的聚集方式是造成薄膜耐磨性差异的原因这一结论。给出了改善单晶氟化镁耐磨性的最佳退火条件：350℃退火 2 h。
The depositing behaviors of MgF2 monocrystal and MgF2 polycrystal were analyzed. It was concluded that the different packing patterns of two materials result in different wear-resistance of films. The best annealing condition to improve the wear-resistance of films deposited with monocrystals is that the films are annealed at 350℃ for 2 h.
参考文献
| [1] | Nagendra C L;Thutupalli G K M .[J].Applied Optics,1983,22(24):4118. |
| [2] | 战元龄.[J].南开大学学报(自然科学版),1993(01):34. |
| [3] | 齐钰.宽带减反射膜设计的一种新方法[J].光学学报,1991(09):838. |
| [4] | 王武育,孙平.不同工艺制备的氟化镁材料对真空镀膜的影响[J].稀有金属,1998(01):22-25. |
| [5] | 汪大洲.冶金学基础知识[M].北京:冶金工业出版社,1994:56. |
| [6] | 金原粲;杨希光.薄膜的基本技术[M].北京:科学出版社,1982:35. |
| [7] | 孙平 .[J].物理实验,1998,3:3. |
| [8] | 温克勒 H G F;邵光中.晶体构造和晶体性质[M].北京:科学出版社,1960:65. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%