质量分离的双离子束沉积法生长CeO2(111)/Si薄膜

稀有金属, 2001, 25(6): 401-410. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.2001.06.001

质量分离的双离子束沉积法生长CeO2(111)/Si薄膜

柴春林 ^1, , 杨少延 ^2, , 刘志凯 ^3, , 廖梅勇 ^4, , 陈诺夫 ^5, , 王占国 ^6,

1.中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室

2.中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室

3.中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室

4.中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室

5.中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室

6.中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G2000036505)

关键词：双离子束 , CeO2/Si薄膜 , 生长

Growth of CeO2/Si film by mass-selected dual ion beam deposition technique

利用一种全新的薄膜生长技术-质量分离的双离子束沉积技术,在较低温度(400℃)下对 CeO2(111)/Si(100) 薄膜的生长进行了研究.两束离子的比例以及离子束的能量对薄膜的成分和晶体质量有很大影响,较高能量(300 eV)的离子束对薄膜有轰击作用,并有助于薄膜的择优取向生长.在 400℃时,制备了 CeO2(111)/Si(100) 单晶薄膜.

参考文献

[1]	Walkenhorst A;Schmitt M;Adrian H et al.[J].Applied Physics Letters,1994,64(14):1871.
[2]	Tye L;El-Masry N A;Tchikyowand et al.[J].Applied Physics Letters,1994,65(24):3081.
[3]	Naqvi S H H;Sajjadi A;Amirhaghi S .[J].Materials Science and Engineering,1992,B13:53.
[4]	Seiji Yaegashi;Toshiya Kurihara;Hideo Hoshi et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,1994,33:270.
[5]	Inoue T;Ohsuna T;Luo L et al.[J].Applied Physics Letters,1991(59):3604.
[6]	Hirschauer B;Chiaia G;Karlsson U O et al.[J].Thin Solid Films,1999,348:3.
[7]	Sanchez F;Varela M;Ferrater C et al.[J].Applied Surface Science,1993,70/71:94.
[8]	Shen Zhu;Douglas H Lowndes;Budai J D et al.[J].Applied Physics Letters,1994,65(16):2012.
[9]	Iijima Y;Tanabe N;Kohno O et al.[J].Applied Physics Letters,1992,60(06):769.
[10]	Reade R P;Tanabe P;Russo R E et al.[J].Applied Physics Letters,1992,61(18):2231.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

质量分离的双离子束沉积法生长CeO2(111)/Si薄膜

Growth of CeO2/Si film by mass-selected dual ion beam deposition technique

参考文献