立方织构 Cu-Ni基带及缓冲层的研究

稀有金属, 2002, 26(3): 166-178. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.2002.03.002

立方织构 Cu-Ni基带及缓冲层的研究

史锴 ^1, , 杨坚 ^2, , 刘慧舟 ^3, , 胡广勇 ^4, , 舒勇华 ^5, , 王晓华 ^6, , 袁冠森 ^7,

1.北京有色金属研究总院,北京,100088；清华大学应用超导研究中心,北京,100084

2.北京有色金属研究总院,北京,100088

3.北京有色金属研究总院,北京,100088

4.北京有色金属研究总院,北京,100088

5.北京有色金属研究总院,北京,100088

6.北京有色金属研究总院,北京,100088

7.北京有色金属研究总院,北京,100088

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G1999064605) 国家超导技术联合研究开发中心资助项目

关键词：基带 , 立方织构 , 表面氧化外延 , 铜式织构 , S织构

Cu-Ni Textured Tapes and Buffer Layer for HTS Coated Conductor

系统研究了Cu-Ni 合金基带和纯Ni基带的织构形成及转变规律,重复地获得了稳定的再结晶{001}<100>立方织构.用表面氧化外延(SOE)法生成了 NiO(200)薄膜.轧制总加工率、轧制道次和轧制方向对轧制织构的形成起主要作用;再结晶温度、时间是立方织构形成的主要影响因素.在获得了强立方织构 Cu-Ni 合金基底上(其中Φ扫描曲线的半高宽(FWHM)≤10°),通过SOE方法得到了取向良好NiO(200)缓冲层.

参考文献

[1]	HeQ;Christen D K;Feenstra R et al.[J].PHYSICA C,1999,314:105.
[2]	Norton D P;Goyal A;Budai J D .[J].科学（上海),1996,274:755.
[3]	Matsumoto K;Niiori Y;Hirabayash I .Advances in Superconductivity Vol 10[Z].Tokyo:Springer,1998.

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