研究了以三甲基镓(TMGa)和氨(NH3)为气源物质,以氢气(H2)为载气进行GaN半导体的金属有机物气相外延(MOVPE)生长时,NH3分解率对于GaN半导体外延生长的成分空间的影响.热力学计算结果表明:随着NH3分解率的提高,用于生长GaN外延层的气+固两相区逐渐向高Ⅴ/Ⅲ比方向变小,解释了实际生长过程中Ⅴ/Ⅲ比要求很高的原因.预计高的Ⅴ/Ⅲ比及低的NH3分解率有助于GaN的MOVPE外延生长.
参考文献
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