淀积温度和氧含量对ITO膜结构及性能的影响

1.河南教育学院化学系,河南,郑州,450003

2.郑州大学材料工程学院,河南,郑州,450052

3.郑州大学材料工程学院,河南,郑州,450052

基金项目: 河南省科技攻关项目(001090210)

Influence of Substrate Temperature and Oxygen Content on Structure and Properties of ITO Films

在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜, 采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与温度和氧含量的关系, 并测量分析了薄膜电阻率及透光率分别随温度和氧含量的变化情况. 所镀制的ITO膜电阻率已降到＜2×10-4 Ω*cm, 可见光透过率达80%以上.

[1]	王承遇;陶瑛;王波 .[J].玻璃与搪瓷,2000,27(04):50.
[2]	张曙;罗新;王乔民 .[J].无机材料学报,1996,11(03):511.
[3]	李玉增;赵谢群 .[J].稀有金属,1996,20(06):455.
[4]	Karasawa T;Miyata Y .[J].Thin Solid Films,1993,223:135.
[5]	周静,刘静.X射线分析温度对ITO膜结构与电性能的影响[J].武汉理工大学学报,2001(09):1-3.
[6]	Oyama T;Hashimoto N;Shimizu J .[J].Journal of Vacuum Science and Technology A-Vacuum Surfaces and Films,1992,10(04):1683.
[7]	钟伯强;俞大畏;潘惠英 .[J].无机材料学报,1995,10(01):125.

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分