溅射参数对SmCo/Cr薄膜铬底层晶面取向及磁学性能的影响

稀有金属, 2003, 27(5): 561-564. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.2003.05.012

溅射参数对SmCo/Cr薄膜铬底层晶面取向及磁学性能的影响

段静芳 ^1, , 许小红 ^2, , 武海顺 ^3, , 李佐宜 ^4,

1.山西师范大学化学与材料科学学院,山西,临汾,041004

2.山西师范大学化学与材料科学学院,山西,临汾,041004;华中科技大学电子科学与技术系,湖北,武汉,430074

3.山西师范大学化学与材料科学学院,山西,临汾,041004

4.华中科技大学电子科学与技术系,湖北,武汉,430074

基金项目: 山西省自然科学基金湖北省科技攻关项目教育部高校骨干教师资助计划

关键词：铬底层 , 晶面取向 , 溅射参数 , SmCo/Cr薄膜 , 矫顽力

Effect of Sputtering Parameters on Chromium Underlayers and Magnetic Properties of SmCo/Cr Thin Films

采用直流磁控溅射法制备SmCo/Cr薄膜磁记录材料, 通过改变Cr底层制备过程中的功率、靶基距、溅射压强和溅射时间, 得到了磁性能不同的SmCo/Cr薄膜. 利用X射线衍射法对Cr底层晶面取向和磁控溅射参数之间的关系进行了研究, 结果表明: 如果改变溅射参数, 使沉积Cr原子获得较大的能量, 则有利于Cr底层最终以(110)晶面择优取向. 本实验中Cr底层以(110)晶面择优取向的最佳实验条件为: 溅射功率在50～70 W左右, 靶基距为6 cm, 压强为0.5 Pa, 溅射时间为15 min. 利用振动样品磁强计(VSM)测定SmCo/Cr薄膜的磁学性能, 结果表明, 如果Cr底层能以(110)晶面择优取向, 所得到的SmCo/Cr薄膜的磁学性能较好.

参考文献

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