GaInP/GaAs HBT高频噪声特性分析

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050

2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050

3.上海交通大学电子工程系,上海,200030

4.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050

基金项目: 上海市AM基金(0109)

Analysis of GaInP/GaAs HBT′s High Frequency Noise Characteristic

通过器件Z参数分析噪声等效电路及计算最小噪声系数,利用HP ADS软件仿真了等效电路元件对最小噪声系数的影响,从而得出了根据器件几何、物理参数来改进器件高频噪声性能的有效途径.

[1]	Herzel F.;Heinemann B. .HIGH-FREQUENCY NOISE ANALYSIS OF SI/SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS[J].International Journal of Electronics: Theoretical & Experimental,1996(1):37-48.
[2]	Escotte L.;Roux J.-P. .Noise modeling of microwave heterojunction bipolar transistors[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1995(5):883-889.
[3]	钱伟,张进书,贾宏勇,林惠旺,钱佩信.基于Z参数的微波晶体管高频噪声网络分析方法[J].半导体学报,2000(06):602-607.
[4]	刘海文,孙晓玮,程知群,车延峰,李征帆.GaInP/GaAs异质结双极晶体管小信号模型参数提取的新方法[J].物理学报,2003(09):2298-2303.
[5]	蔡明倪 .异质结双极性晶体管VBIC模型建立及其功率特性模拟[D].,2002.
[6]	Kim Woonyun .The effects of Cbc on the linearity of AlGaAs/GaAs power HBTs[J].IEEE Transactions on Microwave theory and Techniques,2001,49:1270.

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分