X波段单片低噪声放大器芯片

稀有金属, 2004, 28(3): 484-486. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.009

X波段单片低噪声放大器芯片

彭龙新 ^1, , 周正林 ^2, , 蒋幼泉 ^3, , 林金庭 ^4, , 魏同立 ^5,

1.东南大学微电子中心,江苏,南京,210096;南京电子器件研究所,江苏,南京,210016

2.南京电子器件研究所,江苏,南京,210016

3.南京电子器件研究所,江苏,南京,210016

4.南京电子器件研究所,江苏,南京,210016

5.东南大学微电子中心,江苏,南京,210096

关键词：微波单片集成电路 , 赝配高电子迁移率晶体管 , 低噪声放大器

X-Band Microwave Monolithic Integrated Circuit Low Noise Amplifier Chip

报道了X波段0.5 μm GaAs PHEMT 全单片低噪声放大器芯片.该放大器芯片由四级级联放大电路构成.芯片面积为2.43×1.85 mm2.该放大器芯片在通带内测试结果为: 在工作条件VD=5 V(ID≤100 mA)下,增益>26 dB,噪声系数≤2.2 dB,输入、输出电压驻波比<1.6∶1,平坦度≤±1 dB,1 dB压缩功率≥15 dB·m,相位一致性≤±3°,幅度一致性≤±0.5 dB.芯片尺寸为2.43 mm×1.85 mm.

参考文献

[1]	David D H;Randall E L .X-band monolithic variable gain series feedback LNA[M].New York,1988,79
[2]	Nobuo Shiga;Shigeru Nakajima;Kenji Otobe.X-band MMIC amplifier with pulse-doped GaAs MESFET[A].Boston, Massachusetts,1991
[3]	Ayaki N;Shimura T;Hosogi K et al.A 12 GHz-band super low-noise amplifier using a self-aligned gate MESFET.IEEE[A].,1989,7
[4]	Luciano Boglione;Roger D Pollard;Vasil Postoyalko .12 GHz MMIC series feedback LNA based on a novel analytical design procedure for simultaneous noise and power match[A].,1999,95
[5]	Randall E Lehmann;David D Heston .X-band monolithic series feedback LNA[J].IEEE Transactions on Microwave theory and Techniques,1985,33(12):1560.

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