AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结能带分裂特性

稀有金属, 2004, 28(3): 491-494. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.011

AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结能带分裂特性

郑泽伟 ^1, , 沈波 ^2, , 陈敦军 ^3, , 郑有炓 ^4, , 郭少令 ^5, , 褚君浩 ^6,

1.南京大学物理系,光电信息功能材料江苏省重点实验室,江苏,南京,210093

2.南京大学物理系,光电信息功能材料江苏省重点实验室,江苏,南京,210093

3.南京大学物理系,光电信息功能材料江苏省重点实验室,江苏,南京,210093

4.南京大学物理系,光电信息功能材料江苏省重点实验室,江苏,南京,210093

5.中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083

6.中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083

基金项目: 高等学校博士学科点专项科研项目(20020284023) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2002AA305304) 国家自然科学基金(60325413,60136020) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G20000683)

关键词：调制掺杂 , AlxGa1-xN/GaN , 异质结构 , 二维电子气 , 迁移率 , 有效g因子

Peroperties of Energy Bands Splitting in Modulation-Doped Al0.22Ga0.78N/GaN Heterostructures

通过低温强磁场下的磁输运实验,研究了AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质.1.4 K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于5.4 T时观察到的明显对应于第一子带的自旋分裂现象.用Dingle作图法得到本样品τq的大小为0.17 ps.结果表明,本实验所用的调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构具有较大的有效g因子g*.用高2DEG浓度导致的交换相互作用加强解释了g*增强效应.在磁阻测量中改变磁场方向,自旋分裂现象表现出各向异性.用异质结构界面处强的极化电场解释了自旋分裂的各向异性.

参考文献

[1]	Ivchenko EL.;Willander M.;Kiselev AA. .ELECTRONIC G FACTOR IN BIASED QUANTUM WELLS[J].Solid State Communications,1997(5):375-378.
[2]	Kowalski B;Omling P;Meyer B K et al.Conduction-band spin splitting of type-Ⅰ GaxIn1-xAs/InP quantum wells[J].Physical Review B,1994,49:14786.
[3]	Goldoni G;Fasolino A .Hole states in quantum wells in high in-plane magnetic fields: Implications for resonant magnetotunneling spectroscopy[J].Physical Review B,1993,48:4948.
[4]	Li L K;Turk B;Wang W I et al.High electron mobility AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates by molecular-beam epitaxy[J].Applied Physics Letters,2000,76:742.
[5]	Manfra M J;Pfeiffer L N;West K W et al.High-mobility AlGaN/GaN heterostructures grown by molecular-beam epitaxy on GaN templates prepared by hydride vapor phase epitaxy[J].Applied Physics Letters,2000,77:2888.
[6]	Zheng Z W;Shen B;Jiang C P et al.Multisubband transport of the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures[J].Journal of Applied Physics,2003,93:1651.
[7]	Saxler A;Debray P;Perrin R et al.Characterization of an AlGaN/GaN two-dimensional electron gas structure[J].Journal of Applied Physics,2000,87:369.
[8]	Wang T;Bai J;Sakai S et al.Magnetotransport studies of AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates:Effective mass and scattering time[J].Applied Physics Letters,2000,76:2737.
[9]	Winkler R.;De Poortere EP.;Shayegan M.;Papadakis SJ. .Highly anisotropic Zeeman splitting of two-dimensional hole systems[J].Physica, E. Low-dimensional systems & nanostructures,2001(1/3):62-66.
[10]	Bernardini F.;Vanderbilt D.;Fiorentini V. .SPONTANEOUS POLARIZATION AND PIEZOELECTRIC CONSTANTS OF III-V NITRIDES[J].Physical Review.B.Condensed Matter,1997(16):10024-10027.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网