MBE生长AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变控制

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

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基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(C20000683) 国家自然科学基金(60136010) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2002AA313040)

Strained AlGaAsSb/InGaAsSb Materials Grown by Molecular Beam Epitaxy

基于理论计算和实验,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究.结果表明,通过对材料中的As组份调节,可以对材料中的应变进行控制,达到良好的应变补偿效果,实验结果和理论计算相当吻合.

[1]	Choi H K;Wang C A .InGaAs/AlGaAs strained quantum well diode lasers with extremely low threshold current density and high efficiency[J].Applied Physics Letters,1990,57:321.
[2]	Choi H K;Eglash S J .Room-temperature cw operation at 2.2 μm of GaInAsSb/AlGaAsSb diode lasers growth by molecular beam epitaxy[J].Applied Physics Letters,1991,59:1165.
[3]	Lee H;York P K;Menna R J et al.Room-temperature 2.78 μm GaInAsSb/AlGaAsSb quantum-well lasers[J].Applied Physics Letters,1995,66:1942.

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