半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的微缺陷的研究

稀有金属, 2004, 28(3): 547-550. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.027

半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的微缺陷的研究

王海云 ^1, , 张春玲 ^2, , 唐蕾 ^3, , 刘彩池 ^4, , 申玉田 ^5, , 徐岳生 ^6, , 覃道志 ^7,

1.河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津,300130

2.河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津,300130

3.河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津,300130

4.河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津,300130

5.河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津,300130

6.河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津,300130

7.空军天津航空装备技术训练基地,天津,300131

基金项目: 总装备部科研项目(00JS02.2.1QT4501) 国家自然科学基金(60276009) 河北省自然科学基金(599033)

关键词： SI-GaAs , 微缺陷 , 小位错回线 , 沉淀成核中心

Research on Microdefects in SI-GaAs Single Crystal via TEM and EDTA

砷化镓(GaAs)为第二代半导体材料,GaAs衬底质量直接影响器件性能.利用JEM-2002透射电子显微镜(TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪(EDXA),对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷进行了研究.发现SI-GaAs单晶中的微缺陷包含有富镓沉淀、富砷沉淀、砷沉淀、 GaAs多晶颗粒和小位错回线等.还分析了微缺陷的形成机制.

参考文献

[1]	Ponce F A.Structure of microdefects in semiconducting materials[A].,1985:25.
[2]	Duseaux M;Martin S.Semi-Insulating Ⅲ-Ⅴ Materials[J].by Look D C and Blackemore J S,1984:118.
[3]	CULLIS A G;Augustus P D;Stirland D J .Arsenic precipitation at dislocations in GaAs substrate material[J].Journal of Applied Physics,1980,51(05):2556.
[4]	Cornier J P;Duseaux M;Chevalier J P.Int. Symp. GaAs and Related Compounds[A].,1984:95.
[5]	Barrett D L;McGuigan S;Hobgood H M .Low dislocation, semi-insulating In-doped GaAs crystal[J].Journal of Crystal Growth,1984,70(1-2):179.

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