GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究

稀有金属, 2004, 28(3): 569-571. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.032

GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究

李爱珍 ^1, , 李华 ^2, , 李存才 ^3, , 胡建 ^4, , 唐雄心 ^5, , 齐鸣 ^6,

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

3.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

4.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

5.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

6.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

基金项目: 中国科学院基础研究项目国家重点基础研究发展计划(973计划)(KY 951-B1-706,G2000068304)

关键词： InGaP , 均匀性 , 气态源分子束外延 , X射线双晶衍射 , InGaP/GaAs

Uniformity in GSMBE Grown InGaP/GaAs Structures

报道了气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs材料的晶体完整性,组分均匀性和表面缺陷密度.用Philips X-Pert′s 四晶衍射仪沿Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs样品的x轴和y轴以5 mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线,获得沿x轴和y轴方向的晶格失配度分布和组分涨落分布.结果表明,用GSMBE生长的Φ50 mm和Φ75 mm In0.49Ga0.51P与GaAs衬底的失配度分别为1×10-4和1×10-5,组分波动Φ50 mm沿x轴和y轴分别为±0.1%和±0.2%,Φ75 mm <±1%.表面缺陷密度在1×10～1×102 cm-2.

参考文献

[1]	Li Aizhen;Chen Jianxin;Chen Yiqiao et al.GSMBE grown of InGaAs/(In)GaAs modulation doped heterostructure and its applications to HEMT and HHMT[J].Journal of Crystal Growth,2001,227-228(357)
[2]	Li Aizhen;Chen YiQiao;Chen Jianxin et al.High-performance enhancement-mode pseudomorphic InGaP/InGaAs/GaAs HEMT structures by gas source molecular beam epitaxy[J].Journal of Crystal Growth,2003,251:816.

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