报道了用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的InAlAs/InGaAs四阱耦合量子级联激光器(QCL)材料的结构特性.X射线双晶回摆曲线谱测量结果表明所生长的QCL有源区的界面(含770层外延层)、厚度达到单厚子层控制,组份波动≤1%,晶格失配≤1×10-3.采用特殊的优化工艺,Φ50 mm 外延片的表面缺路陷密度降至1×10 cm-2,达到了器件质量的要求.
参考文献
| [1] | Faist J;Capasso F;Sivco D L et al.Quantum cascade laser[J].Science,1994,264:553. |
| [2] | Bowen D K;Tanner B K.High Resolution X-ray Diffractometry and Topography Taylor · Francis[M].London: Taylor d Francis Ltd,1998 |
| [3] | Speriosu V S;Vreeland T J .X-ray rocking curve analysis of superlattices[J].Journal of Applied Physiology,1984,56(06):1591. |
| [4] | Yang QK.;Chen JX.;Li AZ. .High resolution x-ray diffraction study of Bragg peak width in strained InGaAs/InAlAs/InP heterostructures[J].Journal of Applied Physics,1998(11 Pt.1):5792-5796. |
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