室温工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm多量子阱脊波导半导体激光器

稀有金属, 2004, 28(3): 574-576. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.034

室温工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm多量子阱脊波导半导体激光器

张雄 ^1, , 李爱珍 ^2, , 张永刚 ^3, , 郑燕兰 ^4, , 徐刚毅 ^5, , 齐鸣 ^6,

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

3.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

4.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

5.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

6.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

基金项目: 国家自然科学基金(60136010)

关键词：半导体激光器 , 分子束外延

Room Temperature AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm Ridge-Waveguide Multi-Quantum-Well Lasers

报道了可在室温下脉冲工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm 多量子阱脊波导半导体激光器.器件材料生长采用固态源分子束外延的方法,器件有源层采用应变补偿量子阱结构,激光器结构中引入了加宽波导的设计.制备的多量子阱激光器最高工作温度可达60 ℃,激射波长2.08 μm.室温下阈值电流为350 mA,20～50 ℃范围内特征温度为88 K.

参考文献

[1]	LI A Z;Wang J X;Zheng Y L et al.The behavior of dopant incorporation and internal strain in AlxGa1-xAs0.03Sb0.97 grown by MBE[J].Journal of Crystal Growth,1993,127:566.
[2]	Li AZ.;Zheng YL.;Chen GT.;Ru GP.;Shen WZ.;Zhong JQ.;Zhao Y. .MBE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF HIGH-QUALITY GAINASSB/ALGAASSB STRAINED MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURES[J].Journal of Crystal Growth,1997(Pt.2):873-876.
[3]	LIN C;Zheng Y L;Zhang Y G et al.Temperature and injection current dependencies of 2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb multiple quantum-well ridge-waveguide lasers[J].Journal of Crystal Growth,2001,225-226(591)

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