报道了一种栅压控制的宽带GaAs单片可变增益放大器芯片.该芯片采用Ф76 m圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.工作频率范围为2～8 GHz,栅压为零(或悬空)时,整个带内增益约14dB,输入输出驻波小于2.0,输出功率P1dB大于13dBm.通过改变栅压(可选),平坦增益可控范围13dB.该芯片体积为2.0 mm×1.8 mm×0.1 mm.
参考文献
| [1] | 彭龙新,林金庭,魏同立,陈效建,刘军霞,贺文彪.2～8 GHz微波单片可变增益低噪声放大器[J].固体电子学研究与进展,2004(01):26-30,43. |
| [2] | 彭龙新,蒋幼泉,林金庭,魏同立.1～7GHz全单片低噪声放大器[J].固体电子学研究与进展,2003(03):296-300. |
| [3] | Niclas I B;Wilser W T;Gold R B et al.The matched feedback amplifier-ultrawide-band microwave amplification with GaAs MESFETs[J].IEEE Transactions on Microwave theory and Techniques,1980,28(04):285. |
| [4] | Pengelly R S .Application of feedback techniques to the realization of hybrid and monolithic broadband low noise and power GaAs FET Amplifier[J].Electronics Letters,1981,17(21):798. |
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