采用CVD方法制备了Ir/Re复合材料. 研究了Ir层中Ir晶粒的形貌和生长特点, 计算得到Ir晶粒生长动力学方程:(x2-x02)/t=4.31×103 exp(-2.65 eV/kT) (μm2·s-1). 研究了CVD过程中Re层表面晶粒生长和V, W型浸蚀纹的关系. 对靠近Ir层的细晶粒区和Re层中部的柱状晶粒区中Re晶粒的再结晶长大进行了研究, 计算得到柱状晶区中Re晶粒的生长动力学方程:(x2-x02)/t=2.55×103 exp(-1.52eV/kT) (μm2·s-1), 研究了Ir/Re扩散、 Re扩散对细晶区中Re晶粒生长动力学的影响.
参考文献
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