集成电路制造用溅射靶材

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基金项目: 北京市科委科研项目(D0405001040431)

Sputtering Targets Used in Integrated Circuit

溅射靶材常用于半导体产业、记录媒体产业和先进显示器产业. 在不同产业中, 半导体集成电路制造业对溅射靶材的质量要求最高. 对用于集成电路制造的溅射靶材的材质类型、纯度要求、外形发展进行了阐述, 并讨论了溅射靶材微观组织对溅射薄膜性质的影响, 以及靶材中夹杂物、晶粒尺寸、晶粒取向的控制方法.

[1]	于燮康.中国半导体产业现状与分析[J].半导体行业,2004:19.
[2]	QUIRK M;韩郑生.半导体制造技术[M].北京:电子工业出版社,2004:34.
[3]	Peter Van Zant;赵树武;朱践知;于世恩.芯片制造[M].北京:电子工业出版社,2004:45.
[4]	Peter Singer.45 nm铜工艺面临的挑战[J].电子制造,2004:30.
[5]	杨邦朝,崔红玲.溅射靶材的制备与应用[J].真空,2001(03):11-15.
[6]	钟俊辉.迅速发展的溅射靶材[J].电子材料,1994:8.
[7]	张佼,何博,孙宝德,孙刚,刘莉.定向凝固的进展对高纯铝偏析法提纯工艺的影响[J].铸造技术,2003(04):269-271.
[8]	Lo ChiFung;Draper Darryl .Method for fabricating randomly oriented aluminum alloy sputtering targets with fine grains and fine precipitates[P].United States:5,993,575,1999.
[9]	Perry Andrew C;Gilman Paul S;Hunt Thomas J .High-purity aluminum sputter targets and method of manufacture[P].US:2003/0098103A1,2003.
[10]	Fukuyo Hideaki;Sawamura Ichiroh;Okabe Takeo et al.Aluminum or aluminum alloy sputtering target[P].EP:0853136A1,1997.
[11]	Daniel R Marx;Subhadra Gupta .Metallurgy of aluminum alloy sputter targets[R].MRC Report,2004.

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