研究了采用直流磁控溅射法制备ITO透明导电膜时温度、靶材、氧压比、溅射气压、 溅射速率等工艺条件对ITO膜电阻率和可见光透过率等光电特性的影响.实验结果表明,用ITO陶瓷靶溅射镀膜要比In-Sn合金靶好,特别是在电阻率上,前者要低一个数量级左右;并由实验结果得到,当温度330 ℃,氧氩比1/40,溅射气压0.45 Pa和溅射速率23 nm·min-1左右时,可获得薄膜电阻率1.8×10-4 Ω·cm,可见光透过率80%以上的最佳光电特性参数.
参考文献
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