研究了用HP 4500型 ICP-MS方法分析半导体用浓氢氟酸中的痕量杂质.在半导体业,所用试剂要求在10 ng·ml-1级.采用样品直接稀释法,在优化的实验条件下,采用HP 4500型ICP-MS实现了样品中Na,Mg,Al,K,Ca,Cr,Fe,Ni,Cu,Pb,10种杂质元素的同时测定,降低了样品玷污的可能性.屏蔽炬系统和冷等离子体的使用,很大程度上提高了检出限,使K,Ca和Fe获得令人满意的测量结果.所有元素的测定均在相同条件下进行,检出限为0.8～20 ng·ml-1.
参考文献
| [1] | 陈树榆,张志锋,余华明.HG-ICP-MS同时测定生物样品中痕量As,Se,Hg[J].分析试验室,2004(05):9-13. |
| [2] | Olsen L K;Vela N P;Caruso J A .The determination of impurities in nitric acid by ICP-MS[J].Spectrochimica Acta Part B-Atomic Spectroscopy,1995,50(4-7):355. |
| [3] | Hall G E M;Maclaurin A I;Pelchat J C et al.The determination of impurities in nitric acid and hydrofluoric by ICP-MS[J].Chemical Geology,1997,137(1-2):9. |
| [4] | Sakata K;Kawabata K .The analysis of hydrogen peroxide by ICP-MS-meeting SEMI tier C guidleines[J].Spectrochimica Acta,1994,49B(10):1027. |
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