用金属铈作为靶材, 采用射频反应磁控溅射法在(1102)蓝宝石衬底上制备C轴取向CeO2外延薄膜缓冲层. 结果表明在温度低于450 ℃或溅射功率低于50 W的条件下CeO2 薄膜呈(111)取向生长; 升高温度和功率CeO2薄膜的(111)取向减弱, (002)取向增强; 在温度高于750 ℃或溅射功率高于120 W条件下CeO2薄膜呈(111)取向和(002)取向混合生长. 结合X射线衍射仪和原子力显微镜表征CeO2薄膜的结构和表面形貌, 获得在最优化条件下(衬底温度在680 ℃左右, 溅射功率在80 W左右, 溅射气压在25 Pa, 氩氧比在15∶1)制备的CeO2薄膜具有优良的面内面外取向和平整的表面.
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