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对400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000 ℃温度下煅烧制得的氧化铟锡(ITO)粉体进行X射线衍射分析, 利用Vegard定律分析得到的衍射数据计算出靶材的晶格常数和氧化锡在ITO靶材中的固溶度, 得出ITO靶材中氧化锡的固溶度大小主要与温度有关, 氧化锡相在靶材中的固溶度随着温度的升高而增大的结论.靶材热压烧结降温时, 保持120~150 ℃·h-1的降温速率可以得到纯度为99.995%, 相对密度为99.274%的氧化铟单相ITO靶材.

参考文献

[1] 李晓杰,张越举.爆炸压实烧结ITO陶瓷靶材的实验研究[J].稀有金属材料与工程,2005(03):417-420.
[2] 张国清 .ITO陶瓷靶的研究现状[J].有色金属与稀土应用,2006,1:1.
[3] Kim B C;Lee J H;Kim J J;Takayasu Ikegami .Rapid rate sintering of nanocrystalline indium tin oxide ceramics:particle size effect[J].Materials Letters,2002,52:114.
[4] Quaas M.;Steffen H.;Hippler R.;Wulff H. .Investigation of diffusion and crystallization processes in thin ITO films by temperature and time resolved grazing incidence X-ray diffractometry[J].Surface Science: A Journal Devoted to the Physics and Chemistry of Interfaces,2003(2/3):337-342.
[5] Cui HN.;Teixeira V.;Monteiro A. .Microstructure study of indium tin oxide thin films by optical methods[J].Vacuum: Technology Applications & Ion Physics: The International Journal & Abstracting Service for Vacuum Science & Technology,2002(3/4):589-594.
[6] Seki S.;Sawada Y.;Ogawa M.;Yamamoto M.;Kagota Y.;Shida A.;Ide M. .Highly conducting indium-tin-oxide transparent films prepared by dip-coating with an indium carboxylate salt[J].Surface & Coatings Technology,2003(0):525-527.
[7] Stoica TF.;Teodorescu VS.;Blanchin MG.;Stoica TA.;Gartner M.;Losurdo M.;Zaharescu M. .Morphology, structure and optical properties of sol-gel ITO thin films[J].Materials Science & Engineering, B. Solid-State Materials for Advanced Technology,2003(1/3):222-226.
[8] 孔伟华.ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象[J].无机材料学报,2002(05):1083-1088.
[9] 吴建鹏,张波,王若兰.XRD在固溶体固溶度测定中的应用[J].陕西科技大学学报(自然科学版),2005(01):35-37.
[10] 冈部胜明;大泷光信;江岛光一郎 .ITO タヘゲット[P].JP 2000144398A,2000.
[11] 长谷川彰;藤尺进治;三枝邦夫 .高密度 ITO 烧结体の制造方法及び高密度ITO 烧结体、并びにそ扎を ITO スバツタリンゲタヘゲット[P].JP 2000226254A,2000.
[12] 中村功;江森洋一郎 .ITO成形体およびその制造方法并びにITO 体の制造方法[P].JP 200061917A,2000.
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