欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

以高纯Hg,In,Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ 15 mm×175 mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对MIT晶体结构及物相进行了分析,结果表明,所获得的晶体是单相的MIT晶体,为缺陷闪锌矿结构,空间群为F43m.采用高分辨X射线衍射仪测量了所生长MIT晶体的摇摆曲线,结果表明,所得晶体完整性较好,为高质量的单晶体.对所生长的MIT晶体进行了热分析,发现在MIT晶体中有Hg溢出现象.

参考文献

[1] 汤定元.我国红外技术发展的回顾[J].激光与红外,1998(05):260.
[2] 冯德伸,苏小平,闵振东,尹士平.Φ300 mm红外锗单晶生长及性能测试[J].稀有金属,2006(05):692-694.
[3] 黄杨程.空间遥感用InGaAs短波红外探测器[J].红外,2004(03):10-18,41.
[4] 王勤,刘激鸣,方家熊.空间用1.6μmHg1-xCdxTe室温光伏探测器[J].红外与毫米波学报,1998(02):81-86.
[5] 郑安生,邓志杰,俞斌才.化合物半导体材料的光电应用现状[J].稀有金属,2004(03):563-568.
[6] Wang Linghang;Jie Wanqi .Single-crystal growth of mercury indium telluride(MIT) by Vertical Bridgman method[J].Journal of Crystal Growth,2006,290:203.
[7] Grushka Z M;Gorley P N;Grushka O G;Horley P P,Radevych Y I,Zhuo Zhuang .Mercury indium telluride-a new promising material for photonic structures and devices[J].Proceedings of SPIE,2006,6029:60291A-602911.
[8] 王领航,董阳春,介万奇.碲铟汞晶体的生长及其电学特性[J].半导体学报,2007(07):1069-1071.
[9] Weitze D;Leute V .The phase diagrams of the quasibinary systems HgTe/In2Te3 and CdTe/In2Te3[J].Journal of Alloys and Compounds,1996,236:229.
[10] Leute V;Schmidtke H M .Thermodynamics and kinetics of the quasibinary system Hg(3-3x)In2xTe3-Ⅰ.Investigations by X-ray diffraction and differential thermoanalysis[J].Journal of Physics and Chemistry of Solids,1988,4:409.
[11] Grochowski E G;Mason D R;Schmitt G A;Smith P H .The phase diagram for the binary system indium-tellurium and electrical properties of In3Te5[J].Journal of Physics and Chemistry of Solids,1964,25:551.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%