欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

以乙酰丙酮铝为金属有机源,采用MOCVD在硅基底上制备了氧化铝薄膜,利用X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)等方法研究了不同退火温度对氧化铝薄膜成分、晶型和显微结构的影响.结果表明:350℃沉积的氧化铝薄膜由氧化铝和氧化铝水合物构成,退火处理可使氧化铝水合物转化为氧化铝.此外,退火处理还可以促使氧化铝由非晶向亚稳相和α-Al2O3转变,其中700℃退火后的氧化铝薄膜为非晶氧化铝,900℃退火的氧化铝薄膜由非晶和γ-Al2O3构成,1100℃退火后的氧化铝薄膜由γ-,θ-和α-Al2O3构成.700℃退火后的氧化铝薄膜形貌均匀致密,与退火前的薄膜相比没有明显变化;当退火温度≥900℃时氧化铝薄膜发生开裂,分析认为退火过程中产生的热应力以及氧化铝薄膜晶型转变带来的体积收缩是薄膜开裂的关键原因.

参考文献

[1] 昝育德,王俊,韩秀峰,王玉田,王维民,王占国,林兰英.γ-Al2O3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长[J].半导体学报,1998(12):886.
[2] 李新梅,李银锁,憨勇.钛表面阴极微弧电沉积制备氧化铝涂层[J].无机材料学报,2005(06):1493-1499.
[3] 雷明凯,袁力江,张仲麟.等离子体源增强磁控溅射沉积Al2O3薄膜研究[J].无机材料学报,2002(04):887-890.
[4] 丁雷,王乐,滕蛟,于广华.Al2O3层对超薄各向异性磁电阻薄膜性能影响的研究[J].稀有金属,2009(01):26-29.
[5] 黄美东,张琳琳,王丽格,佟莉娜,李晓娜,董闯.基底温度对反应磁控溅射氮化铝薄膜的影响[J].稀有金属,2011(05):715-718.
[6] Haanappel VAC.;Vancorbach HD.;Fransen T.;Gellings PJ.;Vandervendel D. .THE EFFECT OF THERMAL ANNEALING ON THE PROPERTIES OF THIN ALUMINA FILMS PREPARED BY LOW PRESSURE METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,1995(1/2):8-12.
[7] 沈嘉年,李凌峰,张玉娟,李谋成,刘冬.不锈钢表面包埋渗铝-热氧化处理制备氧化铝膜及其对氢渗透的影响[J].原子能科学技术,2005(z1):73-78.
[8] 汤梅,李弢
[9] Gleizes AN;Vahlas C;Sovar MM;Samelor D;Lafont MC .CVD-Fabricated aluminum oxide coatings from aluminum tri-iso-propoxide: Correlation between processing conditions and composition[J].Chemical vapor deposition: CVD,2007(1):23-29.
[10] Pflitsch C;Muhsin A;Bergmann U;Atakan B .Growth of thin aluminium oxide films on stainless steel by MOCVD at ambient pressure and by using a hot-wall CVD-setup[J].Surface & Coatings Technology,2006(1/2):73-81.
[11] Ito, A;Tu, R;Goto, T .Amorphous-like nanocrystalline gamma-Al2O3 films prepared by MOCVD[J].Surface & Coatings Technology,2010(14):2170-2174.
[12] 陈玮 .α-Al<,2>O<,3>形成过程显微结构演变及其调控[D].中南大学,2010.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%